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DMG4407SSS-13  与  BSO080P03NS3E G  区别

型号 DMG4407SSS-13 BSO080P03NS3E G
唯样编号 A3-DMG4407SSS-13 A-BSO080P03NS3E G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 11mΩ@12A,20V 8mΩ
上升时间 - 47ns
Qg-栅极电荷 - -61nC
栅极电压Vgs ±25V 25V
正向跨导 - 最小值 - 44S
封装/外壳 SO -
工作温度 -50°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 9.9A 14.8A
配置 - Single
长度 - 4.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
下降时间 - 19ns
高度 - 1.75mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.45W(Ta) 2.5W
典型关闭延迟时间 - 64ns
FET类型 P-Channel P-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3P3
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2246pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20.5nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 16ns
库存与单价
库存 12,500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

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